Micron dự kiến tăng gấp đôi công suất sản xuất HBM hàng tháng lên 100.000 wafer, đuổi kịp Samsung và SK Hynix
Theo nguồn tin từ Hãng thông tấn Yonhap (Hàn Quốc) ngày 4 tháng 9, các nguồn am hiểu ngành cho biết, Micron (MU) có kế hoạch nâng công suất sản lượng hàng tháng của bộ nhớ băng thông cao (HBM) lên khoảng 100.000 tấm wafer vào cuối năm 2026, gần gấp đôi so với quy mô năm ngoái. Nếu mục tiêu được...

Theo hãng thông tấn Hàn Quốc Yonhap ngày 4/9, trích dẫn các nguồn tin trong ngành, Micron (MU) dự kiến tăng công suất HBM hàng tháng lên khoảng 100.000 wafer vào cuối năm 2026, gần như tăng gấp đôi so với năm ngoái. Nếu mục tiêu đạt được như dự kiến, khoảng cách năng lực sản xuất giữa Micron với Samsung Electronics và SK Hynix sẽ giảm xuống còn khoảng một nửa so với hiện tại.
Đồng thời, Micron đang đẩy nhanh quá trình tăng sản lượng sản phẩm HBM4 12 lớp thế hệ mới nhất, nhằm đáp ứng nhu cầu của bộ tăng tốc AI thế hệ mới của NVIDIA.
Công suất HBM hàng tháng của Micron có thể tăng lên 100.000 wafer
Các nguồn tin trong ngành cho biết Micron dự kiến bổ sung thêm tối đa 60.000 wafer HBM mỗi tháng. Sản lượng HBM hàng tháng của công ty vào năm ngoái khoảng 40.000 đến 50.000 wafer; sau khi các dây chuyền sản xuất mới đi vào hoạt động, tổng quy mô dự kiến đạt khoảng 100.000 wafer.
Để đạt được mục tiêu này, Micron đang đặt hàng thêm từ nhiều nhà cung cấp thiết bị sản xuất HBM, các thiết bị liên quan lần lượt được vận chuyển đến nhà máy tại Đài Loan (Trung Quốc) và Singapore. Hiện tại, hoạt động đóng gói HBM của Micron chủ yếu tập trung tại nhà máy Đồng Lộ ở Đài Loan và nhà máy Woodlands ở Singapore, đồng thời công ty cũng đang chuẩn bị đầu tư thiết bị cho nhà máy Hiroshima ở Nhật Bản.
Sau hoạt động mở rộng công suất là nhu cầu liên tục đối với HBM từ máy chủ AI và bộ tăng tốc AI. Do khả năng cung cấp băng thông bộ nhớ cao hơn, HBM đã trở thành linh kiện then chốt trong các hệ thống huấn luyện và suy luận AI sinh sản. Các nhà sản xuất chip AI như NVIDIA tiếp tục mở rộng quy mô mua sắm, thị trường HBM vẫn đang trong tình trạng cung không đủ cầu.
Tỷ trọng sản phẩm HBM4 12 lớp sẽ tăng lên
Ngoài việc mở rộng công suất, Micron cũng đang điều chỉnh cơ cấu sản phẩm HBM. Hiện tại, sản lượng HBM của công ty vẫn chủ yếu là sản phẩm HBM3E 12 lớp, tuy nhiên dự kiến tỷ trọng sản phẩm HBM4 12 lớp sẽ tăng từ 20% đến 30% đầu năm 2026 lên mức cao nhất 50% vào cuối năm.
Sản phẩm HBM4 12 lớp được coi là bộ nhớ đi kèm cho bộ tăng tốc AI thế hệ mới "Vera Rubin" của NVIDIA. Micron đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm này vào quý 2 năm 2026.
Giám đốc điều hành Sanjay Mehrotra của Micron phát biểu tại họp báo kết quả kinh doanh quý 3 niên độ tài chính 2026 vào tháng 6 rằng, tốc độ tăng sản lượng trong giai đoạn tăng trưởng sản xuất của HBM4 12 lớp nhanh gấp đôi so với HBM3E 12 lớp. Tính đến thời điểm đó, doanh thu tích lũy từ xuất khẩu HBM4 của Micron đã vượt 1 tỷ USD.
Micron vẫn cần bắt kịp Samsung và SK Hynix
Mặc dù Micron là một trong ba nhà sản xuất HBM lớn nhất thế giới, công suất sản xuất của họ vẫn thấp hơn đáng kể so với Samsung Electronics và SK Hynix. Ước tính chung trong ngành cho thấy công suất HBM hàng tháng của Samsung Electronics và SK Hynix lần lượt khoảng 150.000 đến 200.000 wafer, gấp 3 đến 4 lần so với quy mô hiện tại của Micron.
Về thị phần, theo dữ liệu của Counterpoint Research, trong quý 2 năm 2026, SK Hynix đứng đầu thị trường HBM toàn cầu với 50% thị phần, Samsung Electronics chiếm 32%, Micron chiếm 18%, duy trì vị trí thứ ba trong thời gian dài.
Nếu Micron có thể tăng công suất HBM hàng tháng lên khoảng 100.000 wafer vào cuối năm và tăng tỷ trọng sản phẩm HBM4 12 lớp thuận lợi, khoảng cách năng lực sản xuất với hai đối thủ chính có thể thu hẹp đáng kể. Đối với Micron, đây không chỉ là hành động quan trọng để tranh giành thị phần HBM, mà còn là bước quan trọng để chuyển đổi nhu cầu bộ nhớ AI thành tăng trưởng doanh thu.
Bình luận (0)
Đăng nhập để bình luận
Vui lòng đăng nhập để tham gia thảo luận cùng cộng đồng GVN.